NPN-Transistor BU406G, 200V, TO-220, 7A, 200V

NPN-Transistor BU406G, 200V, TO-220, 7A, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
2.03€
5-24
1.76€
25-49
1.55€
50-99
1.37€
100+
1.13€
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NPN-Transistor BU406G, 200V, TO-220, 7A, 200V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 200V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Funktion: TV-HA. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 7A. Leistung: 60W. Max Frequenz: 10MHz. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: THT. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 400V. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BU406G
20 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
200V
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom
7A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
200V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Funktion
TV-HA
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
7A
Leistung
60W
Max Frequenz
10MHz
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
THT
Pd (Verlustleistung, max)
60W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
400V
Transistortyp
NPN
VCBO
400V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor