NPN-Transistor BU2522AX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V

NPN-Transistor BU2522AX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
1.95€
5-49
1.61€
50-99
1.36€
100+
1.23€
Menge auf Lager: 271

NPN-Transistor BU2522AX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 64kHz. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 25A. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 13.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BU2522AX
24 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-399
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
64kHz
Funktion
Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
25A
Maximaler hFE-Gewinn
10
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
45W
Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Technologie
Silizium-Leistungstransistor
Tf(max)
0.25us
Tf(min)
0.12us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
13.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors