NPN-Transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. FT: kHz. Funktion: Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Isolationsspannung 2500V. Ic(Impuls): 25A. Maximaler hFE-Gewinn: 13. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: Leistungstransistor. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 13.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31