NPN-Transistor BSP52T1GDARL, SOT-223, 500mA

NPN-Transistor BSP52T1GDARL, SOT-223, 500mA

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NPN-Transistor BSP52T1GDARL, SOT-223, 500mA. Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: AS3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50

Technische Dokumentation (PDF)
BSP52T1GDARL
12 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-261AA
Herstellerkennzeichnung
AS3
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.8W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi