NPN-Transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

NPN-Transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

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NPN-Transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 35mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R2. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Spec info: SMD R2. Transistortyp: NPN. VCBO: 15V. Vebo: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

Technische Dokumentation (PDF)
BFR93A
24 Parameter
Kollektorstrom
35mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
12V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
6GHz
Funktion
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
R2
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
3000
Maximaler hFE-Gewinn
90
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
40
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.3W
Spec info
SMD R2
Transistortyp
NPN
VCBO
15V
Vebo
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors