NPN-Transistor BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V

NPN-Transistor BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V

Menge
Stückpreis
1-4
1.02€
5-49
0.89€
50-99
0.79€
100+
0.68€
Menge auf Lager: 64

NPN-Transistor BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Anzahl der Terminals: 4. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 1.3pF. CE-Diode: nein. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: %MW. Kosten): 0.7pF. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code MW. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

Technische Dokumentation (PDF)
BFG67X
25 Parameter
Kollektorstrom
50mA
Gehäuse
SOT-143
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-143B
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
10V
Anzahl der Terminals
4
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
1.3pF
CE-Diode
nein
FT
8GHz
Funktion
UHF wideband transistor
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
%MW
Kosten)
0.7pF
Maximaler hFE-Gewinn
100
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
60
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
300mW (total 380mW)
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code MW
Transistortyp
NPN
VCBO
20V
Vebo
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors