NPN-Transistor BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrom: 200mA. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Anzahl der Terminals: 4. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -60...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 7GHz. Funktion: Für VHF/UHF-Antennenverstärker und HF-Kommunikationsanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 0.7pF. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31