NPN-Transistor BF422, TO-92, 50mA, TO-92, 250V

NPN-Transistor BF422, TO-92, 50mA, TO-92, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
0.24€
5-49
0.21€
50-99
0.19€
100-199
0.16€
200+
0.14€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 229

NPN-Transistor BF422, TO-92, 50mA, TO-92, 250V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 60 MHz. Frequenz: 60MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100mA. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 1.6pF. Leistung: 0.625W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 250V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF423. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

Technische Dokumentation (PDF)
BF422
30 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
50mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
60 MHz
Frequenz
60MHz
Funktion
VIDEO-Verstärker.
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
100mA
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Kosten)
1.6pF
Leistung
0.625W
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
50
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
250V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BF423
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Technologie
„Triple Diffused Planar Transistor“
Transistortyp
NPN
VCBO
250V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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