NPN-Transistor BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. FT: 80 MHz. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BF421. Ic(Impuls): 100mA. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. RoHS: nein. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31