NPN-Transistor BDX54F, 8A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 12A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: -. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX53F. Sättigungsspannung VCE(sat): -. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24