NPN-Transistor BDW94CF, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V

NPN-Transistor BDW94CF, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.25€
5-24
1.06€
25-49
0.94€
50-99
0.84€
100+
0.71€
Menge auf Lager: 13

NPN-Transistor BDW94CF, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW93CF. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30

Technische Dokumentation (PDF)
BDW94CF
22 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
Darlington-Transistor?
ja
FT
20 MHz
Funktion
Komplementärtransistor (Paar) BDW93CF
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
15A
Maximaler hFE-Gewinn
20000
Menge pro Karton
2
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
33W
RoHS
ja
Spec info
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics