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NPN-Transistor BD912, TO-220, TO-220AB, -100V, 100V, 15A, 15A, TO-220, 100V
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NPN-Transistor BD912, TO-220, TO-220AB, -100V, 100V, 15A, 15A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 5. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD911. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 15A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 90W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Strom max 1: -15A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24