NPN-Transistor BD682, TO-126, SOT-32, -100V, 4A, 100V, 4A, 100V. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Darlington-Transistor?: ja. Eingebaute Diode: ja. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD682. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 4A. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Maximaler hFE-Gewinn: -. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: THT. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD682. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Strom max 1: -4A. Transistortyp: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24