NPN-Transistor BD680A, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 6A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 14W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679A. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24