NPN-Transistor BD436, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 32V, 4A, 4A, TO-126, 32V

NPN-Transistor BD436, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 32V, 4A, 4A, TO-126, 32V

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NPN-Transistor BD436, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 32V, 4A, 4A, TO-126, 32V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD438. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: nein. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD435. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

Technische Dokumentation (PDF)
BD436
24 Parameter
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (JEDEC-Standard)
SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
32V
Kollektorstrom Ic [A], max.
4A
Kollektorstrom
4A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
32V
Anzahl der Terminals
3
FT
3 MHz
Funktion
NF-L
Grenzfrequenz ft [MHz]
3 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BD438
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
36W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
36W
RoHS
nein
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD435
Transistortyp
PNP
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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