NPN-Transistor BD246C-TI, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. CE-Diode: ja. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD245C. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Texas Instruments. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24