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NPN-Transistor BD241C-ST, 3A, TO-220, TO-220, 100V
Menge
Stückpreis
1-4
0.58€
5-24
0.46€
25-49
0.40€
50-99
0.36€
100+
0.31€
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 254 |
NPN-Transistor BD241C-ST, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 5A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. Transistortyp: NPN. VCBO: 115V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24
BD241C-ST
24 Parameter
Kollektorstrom
3A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
3 MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
5A
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.2V
Maximaler hFE-Gewinn
25
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD242C
Transistortyp
NPN
VCBO
115V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics