NPN-Transistor BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 2A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: NF-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD239C. Ic(Impuls): 4A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 2A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 30W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 115V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD240C. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24