NPN-Transistor BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

NPN-Transistor BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.22€
5-24
0.18€
25-49
0.16€
50-99
0.14€
100+
0.12€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 352

NPN-Transistor BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

BD140-CDIL
26 Parameter
Kollektorstrom
1.5A
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55°C bis +150°C
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
2A
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
12.5W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD139
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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