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NPN-Transistor BD140-16, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, SOT-32, -80V, 80V, 1.5A, TO-126, 80V
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NPN-Transistor BD140-16, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, SOT-32, -80V, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -80V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 100. FT: 50 MHz. Frequenz: 160MHz. Funktion: NF-L. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD140-16. Ic(Impuls): 3A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 1.5A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 12.5W. MSL: -. Max Frequenz: 50MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139-16. Strom max 1: -1.5A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24