NPN-Transistor BD139-16, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 80V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 100. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Gewinne hfe: 40...250. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD139-16. Ic(Impuls): 3A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 1.5A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 12.5W. MSL: -. Max Frequenz: 50MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. Strom max 1: 1.5A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. Typ: Leistung. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24