NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD139

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD139. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD139. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.