NPN-Transistor BCP53T1G, SOT-223, TO-261, 80V, 1A

NPN-Transistor BCP53T1G, SOT-223, TO-261, 80V, 1A

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NPN-Transistor BCP53T1G, SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Herstellerkennzeichnung: AH. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48

Technische Dokumentation (PDF)
BCP53T1G
13 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-261
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
50 MHz
Herstellerkennzeichnung
AH
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.5W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi