NPN-Transistor BC857C, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V
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NPN-Transistor BC857C, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Gewinne hfe: 520. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Leistung: 0.25W. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V, 45V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 3G. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34