NPN-Transistor BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V
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NPN-Transistor BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 100MHz. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 80V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 220. FT: 100 MHz. Gewinne hfe: 290. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3B. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 4.5pF. Leistung: 0.25W. Maximaler hFE-Gewinn: 475. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 220. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 80V, 65V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3B. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.065V. Transistortyp: PNP. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Äquivalente: ON Semiconductor BC856BLT1G. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34