NPN-Transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3A. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 125. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34