NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V - BC640-16

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V - BC640-16. NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. C(in): 110pF. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC639-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 11:25.