NPN-Transistor BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V
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NPN-Transistor BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 50pF. CE-Diode: nein. FT: 130 MHz. Frequenz: 200MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Gewinne hfe: 40...250. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 1A. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 7pF. Leistung: 0.8/2.75W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34