NPN-Transistor BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 110pF. CE-Diode: nein. FT: 70 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 9pF. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Produktionsdatum: 1997.04. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34