NPN-Transistor BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V

NPN-Transistor BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0954€
50-99
0.0834€
100-499
0.0743€
500+
0.0596€
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NPN-Transistor BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (Ammo Pack). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 9pF. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC550C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 3.5pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC560C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Äquivalente: BC550CG, BC550CBU. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC550CG
37 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92 3L (Ammo Pack)
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
9pF
CE-Diode
nein
FT
250 MHz
Funktion
hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc)
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226AA
Grenzfrequenz ft [MHz]
250 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC550C
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
45V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
3.5pF
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.625W
Maximaler hFE-Gewinn
800
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
420
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC560C
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
5V
Äquivalente
BC550CG, BC550CBU
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor
Mindestmenge
10

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