NPN-Transistor BC547C, TO-92, 100mA, 100mA, TO-92, 45V

NPN-Transistor BC547C, TO-92, 100mA, 100mA, TO-92, 45V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0565€
50-99
0.0491€
100-499
0.0441€
500+
0.0380€
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NPN-Transistor BC547C, TO-92, 100mA, 100mA, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC547C. Ic(Impuls): 200mA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 270. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC557C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: „Epitaktischer Planartransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC547C
36 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Kollektorstrom
100mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
300 MHz
Funktion
Allzweck
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226
Grenzfrequenz ft [MHz]
300 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC547C
Ic(Impuls)
200mA
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
45V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.5W
Maximaler hFE-Gewinn
800
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
270
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC557C
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.2V
Technologie
„Epitaktischer Planartransistor“
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10