NPN-Transistor BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kosten): 6pF. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34