NPN-Transistor BC517, TO-92, 1A, TO-92, 30 v
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NPN-Transistor BC517, TO-92, 1A, TO-92, 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 200MHz. Gewinne hfe: 30k. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 400mA. Leistung: 0.625W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516. Transistortyp: Darlington-Transistor. VCBO: 40V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34