NPN-Transistor BC516-D27Z, TO-92, TO-226, 30 v, 1A

NPN-Transistor BC516-D27Z, TO-92, TO-226, 30 v, 1A

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NPN-Transistor BC516-D27Z, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: BC517. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
BC516-D27Z
12 Parameter
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30 v
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Anzahl der Terminals
3
Herstellerkennzeichnung
BC517
Komponentenfamilie
PNP Darlington Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.625W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi