NPN-Transistor BC33740, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V

NPN-Transistor BC33740, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0486€
50-99
0.0417€
100-199
0.0375€
200+
0.0320€
Menge auf Lager: 3322
Minimum: 10

NPN-Transistor BC33740, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1A. Kosten): 12pF. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC33740
27 Parameter
Kollektorstrom
0.8A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92Ammo-Pack
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
1A
Kosten)
12pF
Maximaler hFE-Gewinn
630
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
250
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC327-40
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.7V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10