NPN-Transistor BC337-25, TO-92, 0.8A, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 210 MHz. Gewinne hfe: 250. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1A. Kollektorstrom Ic [A]: 800mA. Konditionierung: Ammo Pack. Kosten): 15pF. Leistung: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 45V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34