NPN-Transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 0.65 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Leistung: 0.85W. Max Frequenz: 75MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Polarität: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Temperatur: +175°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 85V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:56