NPN-Transistor BC177B, TO-18 ( TO-206 ), 0.2A, TO-18, 45V

NPN-Transistor BC177B, TO-18 ( TO-206 ), 0.2A, TO-18, 45V

Menge
Stückpreis
1-4
0.70€
5-24
0.59€
25-49
0.51€
50-99
0.46€
100+
0.35€
+1 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 23

NPN-Transistor BC177B, TO-18 ( TO-206 ), 0.2A, TO-18, 45V. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -60...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Frequenz: 130MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 4pF. Leistung: 300mW. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:56

Technische Dokumentation (PDF)
BC177B
29 Parameter
Gehäuse
TO-18 ( TO-206 )
Kollektorstrom
0.2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-18
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-60...+200°C
CE-Diode
nein
FT
200 MHz
Frequenz
130MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Kosten)
4pF
Leistung
300mW
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximaler hFE-Gewinn
460
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
180
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.3W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
50V
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.2V
Transistortyp
PNP
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil