NPN-Transistor BC161-16, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, -60V, 60V, 1A, 1A, TO-39, 60V

NPN-Transistor BC161-16, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, -60V, 60V, 1A, 1A, TO-39, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.80€
5-24
0.68€
25-49
0.60€
50-99
0.55€
100+
0.47€
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NPN-Transistor BC161-16, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, -60V, 60V, 1A, 1A, TO-39, 60V. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -60V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 50MHz. Betriebstemperatur: -65...+200°C. C(in): 180pF. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -60V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 30. FT: 50 MHz. Funktion: -. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC161-16. Information: -. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 30pF. Leistung: 0.65W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.65W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC141. Strom max 1: -1A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Transistortyp: PNP. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:56

Technische Dokumentation (PDF)
BC161-16
47 Parameter
Gehäuse
TO-39 ( TO-205 )
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-60V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
60V
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Kollektorstrom
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-39
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
60V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
50MHz
Betriebstemperatur
-65...+200°C
C(in)
180pF
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
-60V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
30
FT
50 MHz
Grenzfrequenz ft [MHz]
50 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC161-16
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
30pF
Leistung
0.65W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.65W
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.8W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC141
Strom max 1
-1A
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Technologie
EPITAXIAL TRANSISTORS
Tf(max)
650 ns
Tf(min)
500 ns
Transistortyp
PNP
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
VCBO
60V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil