NPN-Transistor 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V

NPN-Transistor 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V

Menge
Stückpreis
1-4
0.26€
5-24
0.21€
25-49
0.18€
50-99
0.16€
100+
0.14€
Menge auf Lager: 53

NPN-Transistor 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 150 MHz. Funktion: NF-Ausgangsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 50pF. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24

Technische Dokumentation (PDF)
2SD965
25 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
20V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
150 MHz
Funktion
NF-Ausgangsverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
50pF
Maximaler hFE-Gewinn
600
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
340
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.75W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.35V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
40V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil