NPN-Transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 130 MHz. Frequenz: 130MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Kollektorstrom Ic [A]: 1A. Leistung: 8W. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Polarität: bipolar. Spannung (Sammler - Emitter): 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB631K. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24