NPN-Transistor 2SD330, TO-220, 2A, 2A, 50V

NPN-Transistor 2SD330, TO-220, 2A, 2A, 50V

Menge
Stückpreis
1-4
0.82€
5-24
0.68€
25-49
0.63€
50-99
0.57€
100+
0.50€
Menge auf Lager: 7

NPN-Transistor 2SD330, TO-220, 2A, 2A, 50V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 8 MHz. Funktion: -. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Ic(Impuls): 5A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: nein. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Originalprodukt vom Hersteller: --. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24

Technische Dokumentation (PDF)
2SD330
19 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom Ic [A], max.
2A
Kollektorstrom
2A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
8 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
5A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
50V
Komponentenfamilie
NPN Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
20W
RoHS
nein
Transistortyp
NPN
VCBO
50V