NPN-Transistor 2SD2396, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 40 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 6A. Kosten): 55pF. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46