NPN-Transistor 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V

NPN-Transistor 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V

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NPN-Transistor 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. FT: 8 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/60V. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: nein. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46

Technische Dokumentation (PDF)
2SD2061
20 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom Ic [A], max.
3A
Kollektorstrom
3A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
FT
8 MHz
Funktion
isolierter Pakettransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V/60V
Komponentenfamilie
NPN Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
30W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
nein
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
Inchange Semiconductor

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