NPN-Transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

NPN-Transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Menge
Stückpreis
1-4
0.43€
5-9
0.32€
10-24
0.27€
25+
0.24€
Menge auf Lager: 850

NPN-Transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: +55...+150°C. FT: 150 MHz. Funktion: Bipolartransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DAQ. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DAQ. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46

Technische Dokumentation (PDF)
2SD1664Q
26 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-89
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
32V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
+55...+150°C
FT
150 MHz
Funktion
Bipolartransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
2A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
DAQ
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
1000
Maximaler hFE-Gewinn
270
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
120
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code DAQ
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.15V
Technologie
„Epitaktischer planarer Typ“
Transistortyp
NPN
VCBO
40V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM