NPN-Transistor 2SD1455, M31/J, 5A, 5A, 600V. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom: 5A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: nein. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller: --. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:53