NPN-Transistor 2SD1398-SAN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 3 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: „Dreifach diffuser Planar“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12