NPN-Transistor 2SD1279, TO-3, 10A. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Herstellerkennzeichnung: 2SD1279. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 600V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: nein. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:59