NPN-Transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 4A. Kosten): 12pF. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB892. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Technologie: „Epitaxialer planarer Silizium-Darlington-Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12