NPN-Transistor 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

NPN-Transistor 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.99€
5-24
0.87€
25-49
0.78€
50-99
0.67€
100+
0.52€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 890

NPN-Transistor 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5707
28 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
330 MHz
Funktion
DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
11A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5707
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
100dB
Maximaler hFE-Gewinn
560
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
200
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
15W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.11V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
25 ns
Tf(min)
25 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
80V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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